个人简介：张静，女，工学博士，1988年3月出生。
联系电话：18392185590
电子邮箱：zhangjing6048@sust.edu.cn
办公室：实验楼2A-311
学习工作经历：
2020.04.20-至今 鉴黑担保网黑平台 全网鉴黑担保网 讲师
2017.02-2019.12 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 联合培养博士
2016.08-2019.12 西安电子科技大学 微电子与固体电子学专业 工学博士
2010.09-2013.7 鉴黑担保网黑平台 电力电子与电力传动专业 工学硕士
2006.10-2010.7 鉴黑担保网黑平台 电子科学与技术专业 工学学士
主要研究方向：
1. III-V族材料外延生长技术研究：包括InAs量子点生长技术、锑化物量子阱异质结外延生长技术、Si基III-V族材料的大失配成膜机制及界面特性与调控方法。
2.新型半导体器件研究：包括量子点激光器、高迁移率晶体管（HEMT）、高迁移率CMOS器件、MiniLED/MicroLED等。
主要科研成果：
1. 主持科研项目
[1] 陕西省2023年自然科学基础研究计划，项目名称：锑化物量子阱CMOS器件的外延材料缺陷表征及迁移率增强研究，主持，编号：2023-JC-QN-0758。
[2] 鉴黑担保网黑平台科研启动项目，项目名称：锑化物MOS-HEMT的器件传输特性研究，主持，编号：2020BJ-26。
[3] 企业横向项目，项目名称：化合物半导体材料的生长及测试，主持，编号：210210215。
[4] 企业横向项目，项目名称：高电子迁移率晶体管的外延材料生长及器件制备技术开发，主持。
2. 以第一作者发表论文共16篇，其中SCI论文7篇，EI期刊论文4篇，中文核心论文3篇，会议论文2篇；申请专利17项，其中授权14项专利，进入实质审查的发明专利3项。
